孙秋
,
魏兆冬
,
王福平
,
姜兆华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00872
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT); 介电测试结果表明, 1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大, 2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大, Gd掺入量>2mol%时, 薄膜的介电常数下降; 薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势, 而可逆极化值变化较小. 在弱电场下(低于矫顽场Ec), 用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律, 1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大, 说明薄膜中缺陷的浓度最低. 1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关.
关键词:
PZT薄膜
,
rare-earth doping
,
dielectric properties
,
polarization
潘瑞琨
,
王军
,
董秀梅
,
章天金
,
胡兰
,
江娟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00902
采用溶胶-凝胶法制备了1mol%、3mol%、5mol%、8mol% Ho3+掺杂的Ba0.65Sr0.35 TiO3薄膜, 研究了薄膜的表面AFM、XRD谱、光学透射谱和光致发光谱. 结果表明: Ho3+浓度从1mol%增加到8mol%时, BST薄膜的晶格常数先增大后减小; 位于615、650和750nm处的发光, 分别对应5F3→5F7、5F5→5F8和5S2、5F4→5F 的跃迁, 发光谱和5S2, 5F4的寿命谱分析表明, 在Ho3+浓度为3mol%时三个发光带强度均最大. 并分析了Ho3+与Ba2+/Sr2+/Ti4+的离子位置替代机制及交叉弛豫机制.
关键词:
BST薄膜
,
rare earth-doping
,
photoluminescence
